H.-J L. GOSSMANN, T. E. HAYNES, M. E. LAW, A. N. LARSEN, S. ODANAKA, "MRS 568 - Si Front-End Processing - Physics and Technology of Dopant-Defect Interactions".
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Fiche : [LIVRE197]

Titre : H.-J L. GOSSMANN, T. E. HAYNES, M. E. LAW, A. N. LARSEN, S. ODANAKA, MRS 568 - Si Front-End Processing - Physics and Technology of Dopant-Defect Interactions.

Cité dans :[LIVRE110] TREECE R.E., JONES R.E., FOSTER C.M., DESU S.B., YOO I.K., MRS 493 - Ferroelectric thin film VI.
Cité dans :[LIVRE166] S.B. DESU, R. RAMESH, B.A. TUTTLE, R.E. JONES, I.K. YOO, MRS 433 - Ferroelectric thin film V.
Cité dans :[LIVRE196] R.E. JONES, R.W. SCHWARTZ, S.R. SUMMERFELT, MRS 541 - Ferroelectric thin film VII.
Cité dans :[LIVRE264] A. AGARWAL, L. PELAZ, H-H. VUAONG, P. PACKAN, M. KASE, MRS 610 - Symposium B - Si Front-End Processing Physics and Technology of Dopant-Defect Interactions II, April 24-28,  2001.
Auteur : H.-J L. GOSSMANN
Auteur : T. E. HAYNES
Auteur : M. E. LAW
Auteur : A. N. LARSEN
Auteur : S. ODANAKA

Info. : MRS volume 568
Stockage : Bibliothèque LMP
Info. : LMP99-32a,
Mots_clef : Silicium,

Référence : 2000 xx / LMP
Date_d'achat : 15 juin 2000
Prix_H.T. : 859.22 F

Commentaires : proceeding of Materials Research Society, April 6-9 1999, San Francisco, California, USA.


Mise à jour le lundi 25 février 2019 à 15 h 33 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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