J.P. NOGUIER, J. ARNOULD, "Analyse et optimisation technologique des paramêtres de structure conditionnant la progressivité du recouvrement des diodes P+NN+ - Application à la réalisation industrielle de diodes rapides à faible vitesse d'extinction du cou
Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

Article : [99ART178]

Titre : J.P. NOGUIER, J. ARNOULD, Analyse et optimisation technologique des paramêtres de structure conditionnant la progressivité du recouvrement des diodes P+NN+ - Application à la réalisation industrielle de diodes rapides à faible vitesse d'extinction du courant de recouvrement, 1979 - Rapport de fin de contrat - marché DGRST N° 77.7.1012., 139 pages.

Cité dans : [DIV066]  Recherche sur le mot clé : TRIAC*
Cité dans :[99DIV110] Recherche sur l'auteur Philippe LETURCQ
Cité dans :[THESE035]
Auteur : J.P. NOGUIER
Auteur : J. ARNOULD - Laboratoire de Tours, 6 rue Marie et Pierre Curie, 37100 Tours.

Stockage : Thierry LEQUEU
Lien : THESE035.HTM - référence [57]
Date : 1979
Source : Rapport de fin de contrat - marché DGRST N° 77.7.1012.
Pages : 1 - 139

Références : 19


Mise à jour le lundi 25 février 2019 à 15 h 29 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
Cette page a été produite par le programme TXT2HTM.EXE, version 10.7.3 du 27 décembre 2018.

Copyright 2019 : TOP

Les informations contenues dans cette page sont à usage strict de Thierry LEQUEU et ne doivent être utilisées ou copiées par un tiers.
Powered by www.google.fr, www.e-kart.fr, l'atelier d'Aurélie - Coiffure mixte et barbier, La Boutique Kit Elec Shop and www.lequeu.fr.