REE N°02, "Revue de l'Electricité et de l'Electronique", février 2004.
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Titre : REE N°02, Revue de l'Electricité et de l'Electronique, février 2004.

Cité dans : [DIV105]  Les revues RGE Revue de Générale de l'Electricité et REE Revue de l'Electricité et de l'Electronique, France.
Stockage : IUT parc de Grandmont
Date : février 2004

Vers : Editorial par Jean-Marie Peter et Pierre Aloisi
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Vers : DOSSIER - Les composants de puissance
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Vers : REPERES - L'influence de l'évolution de l'électronique en aéronautique
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Editorial par Jean-Marie Peter et Pierre Aloisi

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Les composants de puissance, aujourd'hui et demain

Réunir un dossier sur les composants de puissance en quelques papiers est, aujourd'hui, une gageure; le domaine étant très vaste depuis les composants " actifs " jusqu'aux composants " passifs ". Autant dans les actifs, il est possible de considérer aujourd'hui que l'innovation est faible :
c'est davantage la consolidation de technologies bien connues que la découverte de nouvelles voies;
en ce qui concerne la famille des passifs, dans laquelle on peut intégrer l'encapsulation, il y a des avancées significatives telles que les supercapacités, les polymères, etc.
Les papiers présentés apportent surtout une vue générale sur une famille donnée de produits: le MOSFET de puissance a complètement conquis les marchés basse tension de la téléphonie et de l'automobile, grâce à ses faibles pertes, sa mise en œuvre aisée et sa robustesse. Aujourd'hui, les progrès sont plutôt dans l' encapsulation et l'intégration à faible niveau de fonctions simples: multi-commutateurs, protection, interface avec un micro calculateur, etc.
Pour des tensions de fonctionnement plus importantes (secteur) où le MOS a pour concurrent l'IGBT, des progrès semblent se dessiner avec des MOS à faible résistance interne qu'offre la technologie de " Superjonction" MOS (Coolmos, Mdmesh...).
L'IGBT atteint aujourd'hui une certaine maturité: les vitesses de commutation et la tension de déchet varient peu et tendent vers une asymptote proche de la théorie, tandis que la robustesse continue à s'améliorer. La partie très haute tension (> 1,7 kV) devient un terrain privilégié pour ce type de produit. Des IGBT de 8 kV sont annoncés qui seraient les bienvenus dans la traction et la commande de moteurs très puissants (navires).
Dans la presse spécialisée, on a décrit de nombreux composants de laboratoire souvent très complexes dérivés de l'IGBT avec en premier une grille de commande supplémentaire qui permettraient des commutations plus performantes, mais aucun de ces nouveaux composants n'a présenté des avantages suffisants pour être industrialisés.
Pour les diodes, le composant semi-conducteur est le plus utilisé, les progrès sont très lents et on ne voit pas, hélas, d'amélioration significative dans les prochaines années.
La fiabilité des composants actifs est de plus en plus à l'ordre du jour surtout avec la montée en tension des IGBT :
la traction et toute commande de forte puissance soumettent les commutateurs à des contraintes thermiques élevées et surtout du cyclage thermique, qui à cause des coefficients de dilatation des différents matériaux utilisés impliquent des efforts de cisaillement sur ceux-ci et réduisent leur durée de vie. De nouvelles études, de nouveaux matériaux et de nouveaux boîtiers augmentent chaque année la durée de vie potentielle de ces produits.
Un des moyens modernes d'étude rapide des phénomènes thermiques est évidemment la simulation, la difficulté est la dépendance des caractéristiques des composants avec la température, qui en retour, agissent sur la température, le point de stabilisation est toujours difficile a obtenir, de nombreuses récurrences sont nécessaires ce qui augmente fortement les temps de calcul et la convergence. De nombreuses approches sont possibles, la plupart essaient, conjuguant les différents aspects du problème, de donner des résultats assez précis dans un temps compatible avec les machines actuelles.
Il n'était pas possible de proposer un dossier sur les composants de puissance sans donner un certain éclairage a une possibilité de révolution du domaine du semi-conducteur, le matériau de base utilisé. Il faut se rappeler que celui-ci a démarré, il y a déjà un demi-siècle avec du germanium pour rapidement passer au silicium monocristallin plus abondant et dont la métallurgie est relativement simple. Il a beaucoup donné: plus de 2 kA sur une seule pastille, jusqu'à 10 kV pour les thyristors et des fréquences de plusieurs gigaHertz, pour les transistors hyperfréquences, toutefois son passage au semiconducteur intrinsèque (où le semiconducteur perd ses qualités) à une température relativement basse (entre 200 et 300 De), la température maximum de jonction est limitée aux environ 150 DC depuis longtemps et sa faible tenue aux champs électriques importants, font qu'aujourd'hui il est nécessaire de trouver un matériau qui puisse tenir des tensions élevées et des hautes températures de façon à limiter les systèmes de refroidissement toujours volumineux. Encore que dans ce domaine il faille aussi se pencher sérieusement sur des boîtiers et des isolants qui tiennent également ces températures, ce qui est très loin d'être évident.
Le premier matériau entré en scène est le carbure de silicium (SiC) qui part du silicium bien connu et offre une "figure de mérite" thermique dix fois meilleure que celle du silicium et également un facteur de dix pour la tenue en tension, sans oublier une densité de courant plusieurs centaines de fois plus importante (ce qui réduit d'autant la taille de la puce pour le même courant transité). Pour l'instant la métallurgie de ce matériau est difficile (micropipes: déformations du cristal qui le rendent inapte), son utilisation pas très aisée (absence d'oxyde naturel), il est aussi très mal aisé de créer des contacts et d'obtenir le dopage désiré.
Est'il vraiment le matériau d'avenir ou bien devons nous en attendre d'autres comme le diamant qui est encore plus prometteur ?
Toutefois le premier papier donne un panorama des différents commutateurs possibles obtenus en laboratoire avec du SiC, ensuite une application comme limiteur de courant est démontrée mais dont le coût est aujourd'hui très important. L'IGBT ou le MOSFET à SiC sont très difficile a réaliser à cause des limitations du matériau (oxyde, dopage), aussi une bonne méthode pour créer des commutateurs haute tension est d'utiliser la technologie JFET, qui ne nécessite pas d'oxyde performant, associé, en série, a un MOSFET basse tension en silicium standard, car le JFET est un commutateur normalement conducteur à tension nulle sur sa commande, un dernier papier en indique l'application.
En conclusion on pourrait aussi se concentrer sur les différents composants " passifs" de l'électronique de puissance, en particulier les boîtiers, car' la conception de ceux-ci présente la principale voie de recherche des prochaines années: obtenir une bonne fiabilité, être pratiques à utiliser, offrir une bonne protection contre les interférences électromagnétiques, etc. De nouveaux matériaux comme les polymères peuvent également offrir des fonctionnalités intéressantes en protection. Il reste aussi le problème, jamais résolu élégamment, du stockage de l'énergie, peut-être le principal défi de la prochaine décennie, les " supercapacités "en sont peut être le premier pas.

Pierre AloÏsi
Ingénieur électronique CNAM, Professeur à Supélec et à l'ENSEEIHT
Pierre Aloisi est également retraité de Motorola semiconducteurs, ancien responsable du laboratoire d' application des produits de puissance. Auteur d'une centaine de publications sur l'utilisation pratique des MOS de puissance et des IGBT. Président de séances dans différentes conférences internationales.

Jean-Marie Peter,
Congrès Power Conversion Europe


DOSSIER - Les composants de puissance

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L'industrie de l'électronique de puissance observe actuellement des évolutions technologiques, mais également structurelles. Sur ce dernier point, constatons que cette industrie " jeune " est devenue aujourd'hui une industrie lourde, avec ses incontournables paramètres: investissements considérables, regroupements, internationalisation:.. D'un point de vue technologique, de nombreuses innovations sont annoncées, dont plusieurs liées à "arrivée des SiC.

Présentation : L'évolution des composants semi-conducteurs de puissance
par J.-M. Peter, P. Aloisi , p. 20

Today's and tomorrow's industrial utilization of silicon carbide semiconductor power devices
par D. Stephani p. 23

Limiteur de courant en carbure de silicium
par D. Tournier, P. Godignon, D. Planson, F. Nallet, J. Millan, F. Sarrus, J.F. de Palma p. 25

Méthode originale de mesure des décharges partielles dans les modules de puissance haute tension
par Th. Lebey, D. Malec, S. Dinculescu, F. Breit, E. Dutarde p. 31

Recent achievements and approaches for further optimisation of high current low voltage power smiconductor components
par A. Lindemann p. 37

Banc de cyclage actif pour l'analyse de la fatigue thermique les brasures de composants IGBTs
par L. Dupont, S. Lefebvre, Z. Khatir, G. Coquery, J.C. Faugières p. 45

Simulation électro-thermo-fluidique d'un bras d'onduleur IGBT fonctionnent en MLI
par H. Feral, J.-P. Fradin, F. Richardeau, J. Vallon, P. Ladoux p. 52

Serial connection of SiC VJFETs - features of a fast high voltage switch
par R. Elpelt, P. Friedrichs, R. SchOrner, C.-O. Dohnke, H. Mitlehner, D. Stephani p. 60


REPERES - L'influence de l'évolution de l'électronique en aéronautique

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Les apports de l'électronique et de informatique en aéronautique sont nombreux. Leurs multiples évolutions aux fil des années ont profondément modifié les systèmes mis en œuvre. Les deux articles présentés dans cette partie " repères " sont un éclairage sur ces changements.

Présentation
par J.-M. Berges p. 72

Impacts de l'électronique en aéronautique entre 1953 et 2003
par M. Pélegrin p.73

Apport de l'électronique et de l'informatique à l'équipement des avions de combat français et à leurs conditions d'emploi depuis cinquante ans
par J. Vedel p. 90

Au sommaire des prochains numéros
REE N° 3 - Mars 2004
Dossier: Les systèmes de navigation maritime et fluviale
Repères 1) : Le marquage dans l'industrie
Repères 2) : Grands réseaux d'électricité

REE N° 4 - Avril 2004
Dossier: La supervision: outils et applications
Repères: Les communications métropolitaines optiques


INDUSTRIE & MARCHÉS

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Le monde du semiconducteur retrouve le moral
Le marché du semiconducteur va mieux. Après des périodes moroses, 2003 s'est terminé révélant un taux de croissance d'environ 12 %. Il devrait atteindre 22 % en 2004.

La gestion des situations climatiques rattrape le monde de la production électrique
Les changements climatiques impactent le secteur de l'électricité, dernier exemple en date la canicule de l'été 2003. Plusieurs mois après, l'heure est aux retours d'expérience.

Modélisation numérique : de la puissance sur un PC standard
Les logiciels de modélisation numérique viennent de franchir une étape importante avec l'arrivée de Femlab 3.0, une version puissante désormais accessible aux PC.


RÉGIONS

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Accord entre Electrabet ENR et le SIED
Le Syndicat Intercommunal d'Énergie des DeuxSèvres (SIEDS), Electrabel et la Compagnie Nationale du Rhône (CNR) créent une société d'économie mixte locale de fourniture d'énergie, Ouest Énergie.

RTE reprend le réseau électrique de HBL
Le Réseau de Transport d'Électricité vient d'acquérir la centaine de km du réseau électrique haute tension des Houillères du Bassin de Lorraine.


FORMATION, RECHERCHE, EMPLOI

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L'EST ACA donne davantage de chances aux bacheliers STI
L'ESTACA a admis 21 élèves de terminales STI (Science et Technologies Industrielles) pour suivre un programme de cycle préparatoire.


Mise à jour le lundi 10 avril 2023 à 18 h 56 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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