Revue : [REVUE237]

Titre : Elsevier Science, Microelectronics Reliability, Volume 39, Issue 5, Pages 551-719, May 1999.

Cité dans : [DATA197] Les revues Microelectronics Reliability et Microelectronics Journal, ELSEVIER, décembre 2004.

Volume : 39
Issue : 5
Pages : 551 - 719
Date : May 1999

[1] : Editorial, Page 551
Journal Format-PDF (48 K)

[2] : Reliability of ultrathin gate oxides for ULSI devices, Pages 553-566
Chun-Yen Chang, Chi-Chun Chen, Horng-Chih Lin, Mong-Song Liang, Chao-Hsin
Chien and Tiao-Yuan Huang
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[3] : The prospect of process-induced charging damage in future thin gate
oxides, Pages 567-577
Donggun Park and Chenming Hu
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[4] : Modeling and measurement approaches for electrostatic discharge in
semiconductor devices and ICs: an overview, Pages 579-593
J. C. Lee, G. D. Croft, J. J. Liou, W. R. Young and J. Bernier
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[5] : Editorial, Pages 595-596
Journal Format-PDF (58 K)

[6] : Accelerated dielectric breakdown and wear out standard testing methods and
structures for reliability evaluation of thin oxides, Pages 597-613
G. Ghibaudo, G. Pananakakis, R. Kies, E. Vincent and C. Papadas
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[7] : A proposal for a standard procedure for moderately accelerated
electromigration tests on metal lines, Pages 615-626
A. Scorzoni, M. Impronta, I. De Munari and F. Fantini
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[8] : A study of the thermal behavior of different test patterns used in
differential high resolution electromigration measurements, Pages 627-634
N. Kelaidis, A. Scorzoni, M. Impronta and I. De Munari
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[9] : Test structures and testing methods for electrostatic discharge: results
of PROPHECY project, Pages 635-646
G. Meneghesso, E. Zanoni, A. Gerosa, P. Pavan, W. Stadler, K. Esmark and
X. Guggenmos
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[10] : Analysis of external latch-up protection test structure design using
numerical simulation, Pages 647-659
Kevin Palser, Ann Concannon, Ray Duffy and Alan Mathewson
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[11] : Experiences on reliability simulation in the framework of the PROPHECY
project, Pages 661-672
Horst Rempp, Oliver Thalau, Andrea Scorzoni, Gerard Ghilbaudo, Emanuel
Vincent and Sean Minehane
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[12] : Remote plasma nitridation, deuterium anneal and pocket implant effects on
NMOS hot carrier reliability, Pages 673-679
Shian Aur, Tad Grider, Vincent McNeil, Tom Holloway and Robert Eklund
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[13] : Local thermal probing to detect open and shorted IC interconnections,
Pages : 681-693
Edward I. ColeJr. , Paiboon Tangyunyong and Daniel L. Barton
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (440 K)

[14] : Wafer level backside emission microscopy: dynamics and effects, Pages
695-708
Ching-Lang Chiang
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (246 K)

[15] : Wafer level backside emission microscopy: sample preparation, Pages
709-714
Ching-Lang Chiang
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[16] : Cathodoluminescence and photoluminescence of amorphous silicon oxynitride,
Pages : 715-718
V. A. Gritsenko, Yu. G. Shavalgin, P. A. Pundur, H. Wong and W. M. Lau
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[17] : Book Review, Page 719
Journal Format-PDF (70 K)

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