Elsevier Science, "Microelectronics Reliability", Volume 40, Issue 1, Pages 1-183, 14 January 2000.
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Revue : [REVUE168]

Titre : Elsevier Science, Microelectronics Reliability, Volume 40, Issue 1, Pages 1-183, 14 January 2000.

Cité dans : [DATA197] Les revues Microelectronics Reliability et Microelectronics Journal, ELSEVIER, décembre 2004.
Auteur : Elsevier Science

Volume : 40
Issue : 1
Pages : 1 - 183
Date : 14 January 2000

[1] : , Page 1
Ninoslav Stojadinovi and Michael Pecht
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[2] : Drain breakdown in submicron MOSFETs: a review, Pages 3-15
Hei Wong
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (442 K)

[3] : An overview of radiation effects on electronics in the space
telecommunications environment, Pages 17-26
Daniel M. Fleetwood, Peter S. Winokur and Paul E. Dodd
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[4] : Historical overview and future of optoelectronics reliability for optical
fiber communication systems, Pages 27-35
Mitsuo Fukuda
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (191 K)

[5] : Influence of gate oxide breakdown on MOSFET device operation, Pages 37-47
T. Pompl, H. Wurzer, M. Kerber and I. Eisele
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (666 K)

[6] : Hot carrier degradation for narrow width MOSFET with shallow trench
isolation, Pages 49-56
Woosung Lee and Hyunsang Hwang
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (2369 K)

[7] : Electrically and radiation induced leakage currents in thin oxides, Pages
57-67
A. Scarpa, P. Riess, G. Ghibaudo, A. Paccagnella, G. Pananakakis, M.
Ceschia and G. Ghidini
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[8] : Surface electromigration in copper interconnects, Pages 69-76
N. D. McCusker, H. S. Gamble and B. M. Armstrong
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[9] : Microstructure and electromigration in copper damascene lines, Pages 77-86
Lucile Arnaud, G. Tartavel, T. Berger, D. Mariolle, Y. Gobil and I. Touet
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (761 K)

[10] : A novel fast technique for detecting voiding damage in IC interconnects,
Pages : 87-97
S. Foley, L. Floyd and A. Mathewson
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (1047 K)

[11] : Modular approach of a high current MOS compact model for circuit-level ESD
simulation including transient gate-coupling behaviour, Pages 99-115
Markus Mergens, Wolfgang Wilkening, Stephan Mettler, Heinrich Wolf and
Wolfgang Fichtner
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (600 K)

[12] : The effect of silicide on ESD performance of transistors, Pages 117-122
Guido Notermans, Anco Heringa, Maarten van Dort, Sander Jansen and Fred
Kuper
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (696 K)

[13] : Overload fracture of package solder joints, Pages 123-129
Roman Katchmar
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (447 K)

[14] : A square ring on square ring (SoS) ceramic strength testing technique for VLSI packaging, Pages 131-144
Angelo Villani
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (818 K)

[15] : Thermal reliability of gold¯aluminum bonds encapsulated in bi-phenyl epoxy resin, Pages 145-153
Tomohiro Uno and Kohei Tatsumi
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (2889 K)

[16] : Thermal characterisation of power modules, Pages 155-161
F. N. Masana
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (780 K)

[17] : Extension of a multilayer interconnection technology in MCM-Si with opto-electronic facilities, Pages 163-170
H. De Pauw, H. De Smet, J. Vanfleteren, J. Lernout and A. Van Calster
Lien : vide.pdf - | Journal Format-PDF (1126 K)

[18] : 1/f, g¯r and burst noise used as a screening threshold for reliability estimation of optoelectronic coupled devices, Pages 171-178
Jiansheng Xu, Derek Abbott and Yisong Dai
Lien : vide.pdf - | Article | Journal Format-PDF (217 K)

[19] : Influence of chemical corrosion on resistivity and 1/f noise of polysilicon gauges, Pages 179-183
L. Michelutti, N. Mathieu, A. Chovet and A. Galerie
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