"A study on the IGBT's turn-off failure and inhomogeneous operation", ISPSD'94.
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Article : [PAP207]

Titre : A study on the IGBT's turn-off failure and inhomogeneous operation, ISPSD'94.

Cité dans : [CONF007] ISPSD, Internationnal Symposium on Power Semiconductor Devices & Integrated Circuits
Auteur : Yamashita, J.
Auteur : Haruguchi, E.
Auteur : Hagino, H - Fukuoka Works, Mitsubishi Electr. Corp., Fukuoka, Japan

Stockage : Thierry LEQUEU
Lien : private/Yamashita3.pdf - 358 Ko.
Source : Power Semiconductor Devices and ICs, 1994., Proceedings of the 6th
International Symposium on
Pages : 45 - 50
Date : 31 May-2 June 1994
ISBN : 3-89191-784-8
Info : IEEE Catalog Number: 94CH3377-9
Info : Total Pages : xv+436
References : 2
Accession_Number : 4922916

Abstract :
An IGBT fails to turn-off in a smaller operating area compared to
a steady state one. In this paper, the authors show that
inhomogeneous operation reduces the turn-off SOA of an IGBT, with
newly developed experiments and simulations.

Subject_terms : power transistors; turnoff failure; inhomogeneous operation; IGBT; safe operating area; turnoff SOA


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