[D3100][D3101], "Composants semi-conducteurs de puissance : caractères propres", P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, aout 1999.
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Article : [PAP108]

Titre : [D3100][D3101], Composants semi-conducteurs de puissance : caractères propres, P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, aout 1999.

Cité dans : [DIV104]  Liste des articles des Techniques de l'Ingénieur, décembre 2012.
Cité dans : [DIV066]  Recherche sur le mot clé : TRIAC*
Auteur : Philippe LETURCQ, Professeur à l'Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse, Laboratoire d'Automatique et d'Analyse des Systèmes du C.N.R.S.

Revue : Techniques de l'Ingénieur, traité Génie Electrique, http://www.techniques-ingenieur.fr
Volume : D3100
Stockage : Thierry LEQUEU et IUT parc de Grammont
Date : Parution août 1999
Pages : 1 - 16
Lien : D3100.pdf - 597 Ko, 15 pages, [D3100].

Vers : Date : septembre 1987.
Vers : Citations bibliographiques


SOMMAIRE

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1. Rôle des semi-conducteurs en électronique de puissance D 3 100 - 2
1.1 Fonction « interrupteur » -2
1.2 Réalisation des interrupteurs par des éléments semi-conducteurs -3
2. Caractères comportementaux -4
2.1 Généralités -4
2.2 Diode, thyristor, triac et GTO -4
2.3 Transistor bipolaire, transistor MOS et IGBT -5
3. Caractères physiques -6
3.1 Objectifs de performances -6
3.2 Tension blocable -6
3.3 Courant passant -6
3.3.1 Chute de tension à l'état passant -7
3.3.2 Surface de cristal -8
3.3.3 Limitations thermiques -9
3.4 Commutation et limites de sécurité -9
3.4.1 Temps de commutation -9
3.4.2 Pertes d'énergie de commutation -10
3.4.3 Limites de sécurité -11
4. Éléments de comparaison des semi-conducteurs de puissance -12
4.1 Compromis de performances -12
4.2 Capacité en courant des diodes et thyristors -12
4.3 Capacité en courant des transistors et GTO -13
4.4 Autres éléments de comparaison -15
Pour en savoir plus Doc. D 3 115


Date : septembre 1987.

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Info : [D3100][D3101], "Composants semiconducteurs - Principes de fonctionnement", P. LETURCQ, Techniques de l'Ingénieur, septembre 1987.
Principales notations utilisées : D 3 100 - 3
1. Propriétés électroniques du silicium : 4
1,1 Notions élémentaires- 4
1,11 Porteurs mobiles et charges fixes- 4
1,12 Concentration intrinsèque- 4
1,13 Cristaux N etP - 5
1,14 Charges d'espace- 5
1,15 Génération et recombinaison 'des porteurs- 6
1,2 Comportement électrique- 7
1,21 Courants de conduction et de diffusion- 7
1,22 Équations de continuité- 8
1,23 Contacts- 8
1,24 Relations entre courants et tension- 9
1,25 Approximation de Boltzmann- 9
1,26 Rapport des courants de trous et d'électrons- 10


2. Contacts métal-semiconducteur : 11

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2,1 Contacts redresseurs Schottky- 11
2,11 Région de charge d'espace- 11
2,12 Caractéristique statique J(V)- 12
2,13 Intérêt des contacts Schottky- 12
2,2 Contacts ohmiques- 12


3. Jonctions PN : 13

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3,1 Principe de fonctionnement- 13
3,2 Jonction P+N courte- 14
3,21 Relation densité de courant-tension J(V)- 14
3,22 Répartitions des porteurs- 14
3,23 Caractéristique statique- 15
3,24 Courant d'électrons- 15
3,3 Jonction P+PN+ ou P+NN+ longue- 16
3,31 Hypothèse de travail- 16
3,32 Relation tension-densité de courant V(J)- 16
3,33 Caractéristique statique- 17
3,34 Charge stockée- 17
3,4 Polarisation inverse- 17
3,41 Caractéristiques de la zone de transition- 18
3,42 Génération thermique- 18
3,43 Claquage par avalanche- 18
3,5 Comportement dynamique- 19
3,51 Polarisation directe- 19
3,52 Polarisation inverse- 20


4. Effet transistor : D 3101 - 1

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4,1 Principe- 1
4,2 Équations de fonctionnement- 1
4,3 Modèle d'Ebers et Moll- 2
4,4 Caractéristiques statiques des transistors- 2
4,5 Effet des recombinaisons dans la région de base- 3
4,6 Comportement dynamique- 4

5._Effet_de_champ : 5
5,1 Transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (TMOS)- 5
5,11 Structure et principe de fonctionnement- 5
5,12 Charge portée par l'armature semiconductrice- 6
5,13 Calcul du courant de drain- 6
5,14 Caractéristiques statiques- 7
5,15 Comportement dynamique- 7
5,2 Transistor à effet de champ de jonction (JFET)- 8
5,21 Structure- 8
5,22 Calcul du courant de drain- 8
5,23 Comportement dynamique- 9


Citations bibliographiques

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Cité dans : [DIV122]  T. LEQUEU, Cours d'Electronique de Puissance - 1996/1997, E.I.V.L. 4ième année, 200 pages.
Cité dans : [PAP148]  [D3220][D3221], Électronique de puissance - Éléments de technologie, J. LECLERCQ, Techniques de l'Ingénieur, décembre 1994.
Cité dans :[99DIV060] Recherche sur les REDRESSEURS, novembre 2005.
Cité dans :[99DIV057] T. LEQUEU, Cours d'Electronique de Puissance - 1998/1999, CAPET GE, notes de cours, juin 1999.
Cité dans :[99DIV088] T. LEQUEU, Cours d'Electronique de Puissance - 1999/2000, E.I.T. 2ième année, option GEA, janvier 2000.
Cité dans :[99DIV090] T. LEQUEU, Composants spécifique à l'Electronique de Puissance présent sur le site IUT-GEII, Parc de Grandmont, juillet 2004.
Cité dans : [DIV004]  T. LEQUEU, Cours d'Electronique de Puissance - 1999/2000, IUT GEII 2ème année, option EEP, notes de cours, juin 2000.
Cité dans :[99DIV106] T. LEQUEU, Cours de Physique des Composants - 1999/2000, IUT GEII 2ème année, option EEP, notes de cours, avril 2000.


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