Article : [PAP084]
Titre : J.-L. SANCHEZ, J. RIOS, R. BERRIANE, J. JALADE, P.AUSTIN, New High Voltage Switches : Spontaneous Fired MOS-THYRISTOR Devices, EPE'95
Cité dans : [DIV134] EPE'95, European Conference on POWER ELECTRONICS AND APPLICATIONS, Seville, Espagne, september 1995. Cité dans : [PAP001] J.-L. SANCHEZ, H. FOCH, L'intégration de nouvelles fonctions de l'électronique de puissance : les potentialités de l'intégration fonctionnelle, Forum Européen des Semiconducteur de Puissance, Club CRIN, Clamart, 22 octobre 1997, pp. 15-22. Cité dans :[99DIV112] Publications du LAAS, janvier 2000. Cité dans : [CONF004] EPE, European Conference on Power Electronics and Applications, juillet 2012. Cité dans :[99DIV112] Publications du LAAS, janvier 2000. Cité dans :[99ART124]Auteur : J.-L. SANCHEZ
Revue : EPE'95 - Seville
Date : septembre 1995
Volume : 1
Pages : de 1.637 à 1.642
Stockage : Thierry LEQUEU
Info. : MOSFET IGBT
Mots_clef : High Voltage Switch, MOS-Thyristor device, Spontaneously fired
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