EPF'98, "Electronique de Puissance du Futur", Belfort 1998.
Copyright - [Précédente] [Première page] [Suivante] - Home

Fiche : [DIV130]

Titre : EPF'98, Electronique de Puissance du Futur, Belfort 1998.

Cité dans : [DIV003]  Liste des actes de congrès par années, février 2003.
Cité dans : [DIV007]  Classement par type de Congrés et de revues IEEE, avril 2003.
Cité dans : [CONF005] EPF, Electronique de Puissance du Futur, novembre 2011.
Cité dans :[99DIV081] Dates des congrès sur les Convertisseurs Statiques, avril 2013.
Commentaires :
Obsolescence des composants de puissance :
J.M. PETER, A. BERTHON, J. DHERS, J.F. DUMAS, G. COQUERY, J.B. QUOIRIN, M. AMIET
Exemple : de la logique programmable : des circuits génériques configurables
Block de fonction de données / composants de puissance interchangeable
Voir le site de EUPEC / MITSUBICHI : http://www.eupec.com
Le_composant : transistor + diode + radiateur + calc + commande
Fonction jetable
Disponibilité dès le départ ! obsolence à la naissance
Les évolutions de l'E.D.P., les progès sont liés aux sauts technologiques.

Vers : Partie 1 - Amélioration des performances et de la capacité des composants de puissance.
Vers : Partie 2 - Caractérisation des performances des composants de puissance
Vers : Partie 3 - Méthodologie de conception et d’optimisation en Electronique de Puissance
Vers : Partie 4 - Compatibilité Electromagnétique (CEM)
Vers : Partie 5 - Composants passifs
Vers : Partie 6 - Evolution des topologies pour mieux répondre aux besoins des systèmes

  [1] :  [PAP131]  L. GONTHIER, T. LEQUEU, C. ANCEAU, Application de la démarche d'intégration fonctionnelle : intégration d'un interrupteur MOS à tenue inverse en tension et définition d'une cellule de commutation pour le cas alternatif, EPF'98 Belfort, pp 15-20, 1998.
  [2] :  [PAP154]  J.J.HUSELSTEIN et C.GLAIZE, IGBTs à tenue en tension symétrique. Caractérisation statique et dynamique en fonctionnement transistor, diode et en interrupteur bidirectionnel bicommandable, EPF'98 Belfort, pp 105-110, 1998.
  [3] : [99ART169] F.Z. MEZROUA, F. MISEREY, Comportement thermique interne d'un GTO en commutation, EPF'98, Belfort, pp. 177-192.
  [4] : [SHEET093] Y. RAINGEAUD, J. BAILLOU, P.RAULT, Caractérisation fonctionnelle d'un thyristor GTO normally on utilisé comme cellule élémentaire ASDTM dans des applications de petite puissance,  EPF'98 Belfort, pp. 41-46, 1998.
  [5] : [SHEET391] Z. KHATIR, Implémentation de modèles physiques de composants de très forte puissance dans le logiciel Saber, EPF'98, pp. 143-148.
  [6] :  [PAP232]  L. DEPREZ, F. FOREST, T. MEYNARD, Les convertisseurs multicellulaires série et les techniques de commutation douce : vers une structure multiniveaux / ARCP, EPF'98 -297


Partie 1 - Amélioration des performances et de la capacité des composants de puissance.

TOP

De nouveaux composants arrivent, l'intégration de puissance continue son évolution : quelles conséquences ? -3
J.M.Peter, Aix en Provence

Conception d'un transistor MOSFET vertical 600 V en carbure de silicium -9
D.Planson, M.L.Locatelli, J.P.Chante, D.Renault, CEGELY - Lyon

Application de la démarche d'intégration fonctionnelle : Intégration d'un interrupteur MOS à tenue inverse en tension et définition d'une cellule de commutation pour le cas alternatif -15
L.Gonthier, C.Anceau, STMicroelectronics - Tours
T.Lequeu, Laboratoire de Micro-électronique de Puissance - Tours

Conception et réalisation d'associations MOS -Thyristor blocables basées sur une filière technologique "quatre couches" -21
M.Breil, J.L.Sanchez, P.Austin, B.Rousset, F.Rossel, J.P.Laur, LAAS - Toulouse

Optimisation de diodes rapides haute tension. Application à un convertisseur PFC -29
N.Loonis, Ch.Schaeffer, R.Perret, LEG - Grenoble,
B.Rivet, A.Lhorte, STMicroelectronics - Tours

Utilisation en mode linéaire d'un GTO"normally on" pour commuter sur le 240V/50Hz des puissances inférieures à 1 kW -35
F.Guitton, D.Magnon, Laboratoire de Micro-électronique de Puissance - Tours

Caractérisation fonctionnelle d'un thyristor GTO normally on utilisé comme cellule élémentaire - 41
ASDTM dans des applications de petite puissance
Y.Raingeaud, J.Baillou, Laboratoire de Micro-électronique de Puissance - Tours
P.Rault, STMicroelectronics - Tours

Zone de charge d'espace mobile dans un transistor VDMOS de puissance 2000 V -47
F.Nallet, D.Planson, J.P.Chante, CEGELY - Lyon
J.Arnould, L.Roux, IBS -Greasque

Une nouvelle structure d'interrupteurs pour circuits intégrés de puissance : le concept du transistor LUDMOS -53
M.Zitouni, F.Morancho, H.Tranduc, P.Rossel, LAAS - Toulouse
I.Pages, Motorola Semiconducteurs - Toulouse

Identification de cellules élémentaires en intégration fonctionnelle de puissance : exemples de conception de fonctions intégrées -57
M.Marmouget, J.L.Sanchez, P.Austin, M.Breil, J.Jalade, LAAS - Toulouse
T.Bordignon, V.Houdbert, STMicroelectronics - Tours

Détermination d'une fonction de protection basée sur le mode d'intégration fonctionnelle -63
J.Jalade, J.P.Laur, M.Breil, J.L.Sanchez, P.Austin, O.Causse, LAAS - Toulouse
M.Roy - STMicroelectronics - Tours

Implémentation du module du transistor LDMOS de puissance sous HDL-A -69
P.Kouakou, N.Nolhier, H.Tranduc, P.Rossel, LAAS - Toulouse
K.Kassmi, EST - Oujda (M)
P.Gola, Motorola Semiconducteurs - Toulouse

Dispositif de contrôle des gradients de courant ou de tension pendant la commutation des transistors de puissance à grille isolée -73
N.Idir, J.J.Franchaud, R.Bausière, A.Briffaud, L2EP - Lille

2ème génération de module HVIGBT 1200A - 3300V -79
F.Lecocq, Mitsubishi Semiconductor Europe - Nanterre
E.Thal, Mitsubishi Semiconductor Europe - Ratingen (D)


Partie 2 - Caractérisation des performances des composants de puissance

TOP

Etude du comportement des IGBTs à CIQ au blocage à fort niveau de courant coupé -89
S.Lefevre, ECS/ENSEA - Cergy-Pontoise
F.Miserey, MCC/CNAM - Paris

Estimation par la simulation du risque de destruction de l'IGBT en court-circuit -95
A.Ammous, H.Morel, B.Allard, CEGELY - Lyon

Vieillissement des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) -101
A.Bouzourene, L.Humbert, G.Rojat, P.J.Viverge, CEGELY - Lyon

IGBTs à tenue en tension symétrique. Caractérisation statique et dynamique en fonctionnement -105
transistor, diode et en interrupteur bidirectionnel bicommandable
J.J.Huselstein, C.Glaize, LEM - Montpellier

Méthode simple d'estimation de la durée maximale de court-circuit tccmax des IGBTs -111
M.Alnahar, J.M.Li, D.Lafore, CEGEMA - Marseille

Banc de test de composants en avalanche à fort courant (200A) pendant des temps courts (2µs) -117
Y.Lausenaz, D.Chatroux, CEA-VALRHO - Pierrelatte
D.Lafore, J.M.Li, CEGEMA - Marseille

Caractérisation de transistors MOS en ZVS à haute fréquence de découpage -123
S.Lefevre, ECS/ENSEA - Cergy-Pontoise
F.Miserey, MCC/CNAM - Paris
F.Costa, LESIR - Cachan

Caractérisation du convertisseur multicellulaire série en présence de défauts de commutation -129
Ph.Baudesson, F.Richardeau, T.Meynard, LEEI - Toulouse

  [1] :  [PAP349]  Ph. Baudesson, F. Richardeau, T. Meynard, Caractérisation du convertisseur multicellulaire série en présence de défauts de commutation EPF'98, pp. 129.

Analyse par simulation du comportement thermique d'un IGBT en court-circuit -135
A.Bliek, J.Guerin, M.K.El Cheikh, M.Tholomier, CEGEMA - Marseille


Partie 3 - Méthodologie de conception et d’optimisation en Electronique de Puissance

TOP

Implémentation de modèles physiques de composants de très forte puissance dans le logiciel Saber -143
Z.Khatir, INRETS - Arcueil

  [1] : [SHEET391] Z. KHATIR, Implémentation de modèles physiques de composants de très forte puissance dans le logiciel Saber, EPF'98, pp. 143-148.

Réalisation d'un hacheur à interrupteurs bipolaires gérée par la méthode de commande à dérivées continues (M.C.D.C.) -149
F.Reby, B.Maujean, C.Rombaut, L2EP - Lille
F.Costa, LESIR - Cachan

Méthodologie de dimensionnement d'un redresseur MLI à prélèvement sinus -155
L.Marroyo, Université Publique de Navarre - Pampelune (E)
H.Piquet, F.Richardeau, LEEI - Toulouse

  [1] :  [PAP348]  L. Marroyo. H. Piquet. F. Richardeau, Méthodologie de dimensionnement d'un redresseur MLI à prélèvement sinus, EPF'98, pp. 155-160.
Modélisation d'un transformateur haute fréquence dans l'étude d'un convertisseur DC-AC-DC pour moteur brushless -161
F.Gustin, S.D.Bocus, F.Bernot, A.Berthon, IGE - Belfort

Module DC/DC à très haute intégration volumique -167
P.Thomas, M.Collet, Thomson-CSF - La Clef de Saint Pierre - Elancourt

Alimentation haute tension modulaire -171
G.Arnould, Thomson-CSF - La Clef de Saint Pierre - Elancourt

Comportement thermique interne d'un GTO en commutation -177
F.Z.Mezroua, F.Miserey, MCC/CNAM - Paris

Modèles moyens des convertisseurs pour la conception en électronique de puissance -183
B.Allard, H.Morel, S.Ghedira, A.Ammous, R.Ehlinger, D.Renault, CEGELY - Lyon
J.C.Laurent, DOLPHIN INTEGRATION - Meylan

Modélisation électro-thermique pour la conception de convertisseurs intégrés -189
D.Bergogne, M.Fathallah, F.Calmon, C.Gontrand, CEGELY - Lyon

Modélisation fine d'un convertisseur de type Flyback -193
D.Ligot, J.J.Rousseau, H.Morel, D.Renault, CEGELY - Lyon

Simulation électrothermique en régime dynamique de modules de puissance multi-puces ou à larges surfaces actives -199
P.Tounsi, K.Bellil, J.M.Dorkel, LAAS - INSA - Toulouse

Modèles électrique et thermique du transistor MOS de puissance pour la conception de convertisseurs -205
Z.Bestaoui, C.Batard, C.Bergmann, GE44 - Nantes
Y.Scudeller, ISITEM - Nantes


Partie 4 - Compatibilité Electromagnétique (CEM)

TOP


Développement d'un modèle par éléments finis destiné aux analyses de CEM. Evaluation des -213
perturbations électromagnétiques générées par un circuit imprimé de puissance
H.Gajan, L.Pichon, C.Marchand, LGEP - Gif-sur-Yvette

Optimisation du volume et de l'efficacité des filtres RFI dans une alimentation à découpage -219
F.Costa, N.Jacques, E.Laboure, F.Mazaleyrat, S.Delbosc, LESIR - Cachan,
A.Lacarnoy, SchneiderElectric

Détermination des di/dt permettant à un interrupteur solide de commuter le secteur en respectant les normes CEM conduites -225
F.Guitton, D.Magnon, Laboratoire de Micro-électronique de Puissance - Tours

Optimisation des connexions de structure d'Electronique de Puissance -229
N.Piette, E.Clavel, Y.Maréchal, LEG - Grenoble

Modèles analytiques de prédiction des performances CEM d'une cellule de commutation MOSFET-Diode -235
J.L.Schanen, J.Roudet, W.Teulings, LEG - Grenoble
F.Merienne, IUT Maintenance Industrielle - Chalon sur Saône

Etude des perturbations électromagnétiques générées par une alimentation de moteur synchrone sans balais -241
C.Bouillet, S.D.Bocus, A.Berthon, IGE - Belfort


Partie 5 - Composants passifs

TOP

Inductances à champ axial -249
S.Delbosc, F.Forest, E.Labouré, F.Costa, LESIR - Cachan

Utilisation des varistances ZnO pour la protection des composants actifs en Electronique de Puissance -255
V.Bley, A.Loubière, J.P.Cambronne, T.Lebey, Bui Ai, LGET - Toulouse

Modélisation haute fréquence des transformateurs : de la recherche aux applications industrielles -261
P.Fouassier, B.Cogitore, MicroSpire - Illange
J.P.Kéradec, LEG - Grenoble

Contribution à une approche thermique évoluée dédiée à la conception de composants magnétiques -267
Y.Patin, C.Coillot, LEM - Montpellier
F.Forest, LESIR - Cachan
P.Chantrenne, CETHIL - Lyon

Etat des lieux des technologies existantes ou accessibles en matière de composants passifs -273
F.Lappas, Lappas Conseil - Crolles

Comment caractériser un transformateur avec la précision juste nécessaire ? -277
A.Schellmanns, J.P.Kéradec, K.Berrouche, LEG - Grenoble

Nouvelle approche dans la caractérisation de films pour condensateurs de puissance -283
J.M.Reboul, A.Cherifi, LUSA - Cherbourg
R.Carin, GREYC - Caen
J.P.Reboul, A.Toureille, LEM - Montpellier

Optimisation des pertes par effets de peau et de proximité d'un transformateur de puissance à fréquence élevée -289
M.Ameziani, J.L.Coquerelle, GE44 - LR2EP - Nantes


Partie 6 - Evolution des topologies pour mieux répondre aux besoins des systèmes

TOP

Les convertisseurs multicellulaires série et les techniques de commutation douce : vers une structure multiniveaux / ARCP -297
L.Deprez, F.Forest, LESIR - Cachan
T.Meynard, LEEI - Toulouse

Fiabilité des commutateurs 25kV, 1600A utilisant 3500 MOS -303
D.Chatroux, Y.Lausenaz, J.F.Villard, CEA VALRHO - Pierrelatte
L.Garnier, Centralp Enertronic - Saint Quentin Fallavier
D.Lafore, J.M.Li, CEGEMA - Marseille

Convertisseur continu - alternatif à mécanismes de commutation duaux -309
F.Iturriz, Ph.Ladoux, LEEI - Toulouse

Convertisseur triphasé-monophasé pour des sous-stations de métro -315
S.Jones, A.Mirzaian, P.Manuelle, ALSTOM (CEGELEC) - Belfort

L'évolution de la modularité du convertisseur statique de puissance -321
M.Fracchia, M.Garbero, S.Bertini, CRT - Genova (I)
L.Pierrat, IMG-LEGI - Grenoble
M.Marchesoni, Università di Cagliari (I)

Conception et modélisation d'un amplificateur de puissance audio classe D -327
Ph.Dondon, D.Frizzera, C.Da Costa, IXL - Talence

  [1] : [99ART183] Ph. DONDON, D. FRIZZERA, C. DA COSTA, Conception et modélisation d'un amplificateur de puissance audio classe D, EPF'98, Belfort, pp. 327-xxx.

Amplificateur de puissance d'un haut niveau d'intégration destiné à un sonar -333
C.Millour, D.Poirson, Thomson Marconi Sonar - Brest

Nouvelle structure de conversion DC / DC : application à la charge rapide pour V. E. -339
J.C.Crebier, M.Brunello, J.P.Ferrieux, LEG - Grenoble

Comparaison des structures boost conventionnelle et multiniveaux pour les applications -345
à correction de facteur de puissance
P.Bartholomeus, P.Le Moigne, C.Rombaut, L2EP - Lille

Une unité de formation d'impulsions compacte basée sur l'emploi de nouveaux commutateurs -351
semi-conducteurs et destinée à diverses applications
E.Spahn, K.Sterzelmeier, G.Buderer, ISL - Saint-Louis
E.Ramezani, A.Welleman, ABB Semiconductors - Lenzburg (CH)

  [1] : [SHEET490] E. SPAHN, K. STERZELMEIER, G. BUDERER, E. RAMEZANI, A. WELLEMAN, Une unité de formation d'impulsions compacte basée sur l'emploi de nouveaux commutateurs semi-conducteurs et destinée à diverses applications, EPF'98, Belfort, pp. 351-355.

Evolution des architectures et des topologies dédiées à la génération de très basses tensions -357
A.Picard, M.Foulon, Matra BAe Dynamics - Velizy

Nouvelle topologie de convertisseur à commutation douce : réalisation d'un convertisseur 2kW -361
fonctionnant pour des doses cumulées de rayonnement gamma comprises entre 1 et 10 MRAD(Si)
D.Ploquin, H.Huillet, GAIA CONVERTER - Mérignac
M.Marceau, LETI CEA - Gif-sur-Yvette

Contribution à l'étude des convertisseurs très forte puissance, exploitation des techniques multi-niveaux -365
C.Bodel, Ph.Delarue, R.Bausière, L2EP - Lille

Commande numérique d'un onduleur en tension monophasé multiniveau par la logique rapide EPLD -371
F.B.Rasoanarivo, I.Rasoanarivo, B.Davat, GREEN - Nancy

Surintensité dans les onduleurs de tension alimentant une machine synchrone double étoile à pôles saillants -377
N.Moubayed, F.Meibody-Tabar, B.Davat, GREEN - Nancy

Performances d'un filtre actif parallèle à structure courant -383
L.Benchaïta, S.Saadate, GREEN - Nancy

Nouveau concept de modules de conversion de puissance dans le domaine spatial -389
B.Divry, R.Salamone, Alcatel ETCA - Charleroi (B)

Intérêt industriel des convertisseurs multiniveaux -399
B.Gollentz , J.L.Pouliquen, H.Baerd, ALSTOM (CEGELEC) - Belfort

Contrôle par D.S.P. d'un onduleur destiné à l'alimentation d'un moteur roue 30 kW pour véhicule électrique -405
J.Ghosn, F.Meibody-Tabar, B.Davat, GREEN - Nancy

Conception et réalisation d'un circuit de pompe de charge de 5V - 1mA en technologie CMOS -409
dans le cadre d'une microalimentation de capteurs destinés à des applications médicales
N.Senouci, C.Alonso, LAAS - Toulouse


Mise à jour le jeudi 19 septembre 2013 à 08 h 13 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
Cette page a été produite par le programme TXT2HTM.EXE, version 10.5 du 3 décembre 2006.

Copyright 2013 : TOP
Les informations contenues dans cette page sont à usage strict de Thierry LEQUEU et ne doivent être utilisées ou copiées par un tiers.
Powered by www.google.fr, www.e-kart.fr, La Boutique Kartmasters and www.lequeu.fr.