Fiche : [DATA036]

Titre : Recherche sur les mots clés 3D simulation with ISE for semiconductor, 2000.

Cité dans : [DIV096]  Recherches bibliographiques diverses, janvier 2019.

Vers : Recherche du lundi 21 février 2000
Vers : Recherche DOC These du lundi 21 février 2000 - 79 réponses
Vers : Recherche du mardi 22 février 2000
Vers : Recherche dans PASCAL du 23 février 2000 - 63 réponses

Recherche du lundi 21 février 2000

  [1] : [SHEET129] Characterization of silicon solar cells with interdigitated contacts.
  [2] : [SHEET130] Progress in the measurement of multi-junction devices at ISE, 1991.

Recherche DOC These du lundi 21 février 2000 - 79 réponses

  [1] :  [PAP158]  -------

Recherche du mardi 22 février 2000

  [1] : [SHEET137] G. ANTONOIU, G. DIMA, M.D. PROFIRESCU, Parallel domain decomposition for 3D semiconductor device simulation, 1998.
  [2] : [SHEET138] F. UDREA, A. POPESCU, W. MILNE, 3D RESURF junction, 1998.
  [3] : [SHEET139] A.R. BROWN, A. ASENOV, J.R. BARKER, 3D parallel finite element simulation of in-cell breakdown in lateral-channel IGBTs, 1998.
  [4] : [SHEET140] A. HAMIDI, G. COQUERY, R. LALLEMAND, P. VALES, J.M. DORKEL, Temperature measurements and thermal modeling of high power IGBT multichip modules for reliability investigations in traction applications, Microelectronics and Reliability, vol. 38, no. 6-8, J

Recherche dans PASCAL du 23 février 2000 - 63 réponses

  [1] : [SHEET174] Measurement of buried oxide thermal conductivity for accurate electrothermal  simulation of SOI devices.
  [2] : [SHEET175] Using the Wigner function for quantum transport in device simulation.
  [3] : [SHEET176] HEMT device characteristics calculation and modeling based on device  structure.

  [1] : [SHEET177] Spatial temperature profiles due to nonuniform self-heating in LDMOS's in  thin SOI.
  [2] : [SHEET178] Modeling of the critical current density of bipolar transistor with  retrograde collector doping profile.
  [3] : [SHEET179] Thermal simulation of energetic transients in multilevel metallisation  systems.
  [4] : [SHEET180] Low-temperature impurity breakdown in semiconductors:  an approach towards  efficient device simulation.

  [1] : [SHEET181] S. DALIENTO, N. RINALDI, A. SANSEVERINO, P. SPIRITO, Two-dimensional analysis of a test structure for lifetime profile  measurements, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 42, NO. 11, November 1995, pp. 1924-1928.

  [1] : [SHEET182] Thermal parameter estimation using recursive identification.
  [2] : [SHEET131] SIERRA: a 3-D device simulator for reliability modeling, 1989.
  [3] : [SHEET184] Use of the three-dimensional TLM mehtod in the thermal simulation and design of semiconductor devices, 1992.
  [4] :  [DATA041] Conférence ISPSD'91, Third Internationnal Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs, Baltimore MD, April 22-24 1991.

  [1] : [SHEET185] Simulation sur microcalculateur de l'ouverture des thyristors GTO, 1990.
  [2] : [SHEET188] On a Petrov-Garlerkin method for the electrical and thermal behaviour of semiconductor devices in two dimensions.
  [3] : [SHEET189] Semiconductor device modelling from the numerical point of view.
  [4] :  [DATA039] Congrès EPE'87, Second european conference on power electronics and applications, Grenoble, 22-24 September 1987.
  [5] :  [DATA040] Congrès PESC'87, 18th annual IEEE power electronics specialists conference, Blacksburg VA, 1987.

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