Recherche sur les mots clés "3D simulation with ISE for semiconductor".
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Fiche : [DATA036]

Titre : Recherche sur les mots clés 3D simulation with ISE for semiconductor.

Cité dans : [DIV096]  Recherches bibliographiques diverses, avril 2013.
Auteur : Thierry LEQUEU

Vers : Recherche du lundi 21 février 2000
Vers : Recherche DOC These du lundi 21 février 2000 - 79 réponses
Vers : Recherche du mardi 22 février 2000
Vers : Recherche dans PASCAL du 23 février 2000 - 63 réponses


Recherche du lundi 21 février 2000

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Lien : 3d_ise1.htm - 23 Ko, 29 answers found in the COMPENDEX database.
Lien : 3d_ise2.htm - xx Ko, 54 answers found in the INSPEC database.
  [1] : [SHEET129] Characterization of silicon solar cells with interdigitated contacts.
  [2] : [SHEET130] Progress in the measurement of multi-junction devices at ISE


Recherche DOC These du lundi 21 février 2000 - 79 réponses

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Question : mots-clés francais "SIMULATION" (5053) et "SEMICONDUCTEUR" (1413).
  [1] :  [PAP158]  -------


Recherche du mardi 22 février 2000

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  [1] : [SHEET137] G. ANTONOIU, G. DIMA, M.D. PROFIRESCU, Parallel domain decomposition for 3D semiconductor device simulation, 1998.
  [2] : [SHEET138] F. UDREA, A. POPESCU, W. MILNE, 3D RESURF junction, 1998.
  [3] : [SHEET139] A.R. BROWN, A. ASENOV, J.R. BARKER, 3D parallel finite element simulation of in-cell breakdown in lateral-channel IGBTs, 1998.
  [4] : [SHEET140] A. HAMIDI, G. COQUERY, R. LALLEMAND, P. VALES, J.M. DORKEL, Temperature measurements and thermal modeling of high power IGBT multichip modules for reliability investigations in traction applications, Microelectronics and Reliability, vol. 38, no. 6-8, J


Recherche dans PASCAL du 23 février 2000 - 63 réponses

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Question : Mots clés anglais : "DEVICE SIMULATION" OU "ELECTROTHERMAL SIMULATION"
Recherche : 1 - 1999/1998 - 3 réponses.
  [1] : [SHEET174] Measurement of buried oxide thermal conductivity for accurate electrothermal  simulation of SOI devices.
  [2] : [SHEET175] Using the Wigner function for quantum transport in device simulation.
  [3] : [SHEET176] HEMT device characteristics calculation and modeling based on device  structure.
Question : "DEVICE SIMULATION" OU "THERMAL SIMULATION" ou "TWO DIMENSIONAL ELECTROTHERMAL DEVICE"
Recherche : 2 - 1997/1996 - 4 réponses.
  [1] : [SHEET177] Spatial temperature profiles due to nonuniform self-heating in LDMOS's in  thin SOI.
  [2] : [SHEET178] Modeling of the critical current density of bipolar transistor with  retrograde collector doping profile.
  [3] : [SHEET179] Thermal simulation of energetic transients in multilevel metallisation  systems.
  [4] : [SHEET180] Low-temperature impurity breakdown in semiconductors:  an approach towards  efficient device simulation.
Question : "TWO DIMENSIONAL DEVICE SIMULATION" OU "TWO DIMENSIONAL SIMULATION"
Recherche : 3 - 1993/1995 - 10 réponses.
  [1] : [SHEET181] S. DALIENTO, N. RINALDI, A. SANSEVERINO, P. SPIRITO, Two-dimensional analysis of a test structure for lifetime profile  measurements, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 42, NO. 11, November 1995, pp. 1924-1928.
Question : "SIMULATION" ET "SEMICONDUCTOR DEVICE"
Recherche : 4 - 1991/1993 - 20 réponses.
  [1] : [SHEET182] Thermal parameter estimation using recursive identification.
  [2] : [SHEET131] SIERRA: a 3-D device simulator for reliability modeling
  [3] : [SHEET184] Use of the three-dimensional TLM mehtod in the thermal simulation and design of semiconductor devices.
  [4] :  [DATA041] Conférence ISPSD'91, Third Internationnal Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs, Baltimore MD, April 22-24 1991.
Question : "SIMULATION" ET "SEMICONDUCTOR DEVICE"
Recherche : 5 - 1987/1990 - 26 réponses.
  [1] : [SHEET185] Simulation sur microcalculateur de l'ouverture des thyristors GTO, 1990.
  [2] : [SHEET188] On a Petrov-Garlerkin method for the electrical and thermal behaviour of semiconductor devices in two dimensions.
  [3] : [SHEET189] Semiconductor device modelling from the numerical point of view.
  [4] :  [DATA039] Congrès EPE'87, Second european conference on power electronics and applications, Grenoble, 22-24 September 1987.
  [5] :  [DATA040] Congrès PESC'87, 18th annual IEEE power electronics specialists conference, Blacksburg VA, 1987.


Mise à jour le jeudi 19 septembre 2013 à 08 h 12 - E-mail : thierry.lequeu@gmail.com
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